Спец-ЭлектронКомплект

Vishay Intertechnology представила первый в мире мощный 30-вольтовый p-канальный MOSFET, имеющий сопротивление открытого канала 1.7 мОм при напряжении затвора 10 В. Транзистор SiRA99DP в корпусе со сниженным тепловым сопротивлением PowerPAK SO-8 размером 6.15 мм × 5.15 мм, разработанный подразделением Vishay Siliconix и изготавливаемый по технологии TrenchFET четвертого поколения, специально предназначен для увеличения удельной мощности.

Транзистор SiRA99DP от Vishay

Низкое сопротивление открытого MOSFET, уменьшенное на 43% по сравнению с лучшим продуктом на рынке, снижает падение напряжения и минимизирует потери проводимости, обеспечивая более высокую плотность мощности. В сочетании с ультранизким зарядом затвора 84 нКл SiRA99DP имеет лучшее в своем классе произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала – важнейший критерий качества для MOSFET, используемых в переключательных схемах, – 185 мОм·нКл.

Устройство, идеально подходящее для схем с входным напряжением 12 В, оптимизировано для адаптеров, аккумуляторов и коммутаторов питания общего назначения, защиты аккумуляторов от переполюсовки; реализации проводного «ИЛИ» и управления двигателями в телекоммуникационном оборудовании, серверах, промышленных компьютерах и роботах. Увеличенная плотность мощности SiRA99DP позволяет экономить место на печатной плате в этих приложениях за счет сокращения количества включаемых в параллель компонентов, – другими словами, за счет большего тока на каждое устройство. Кроме того, как всякий p-канальный MOSFET, устройство не требует зарядового насоса для обеспечения положительного смещения затвора, необходимого для его n-канальных аналогов.

MOSFET подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.

Источник