Спец-ЭлектронКомплект

Texas Instruments TMCS1101 — это гальванически изолированный датчик тока на эффекте Холла, способный измерять постоянный и переменный ток с высокой точностью, линейностью и температурной стабильностью.

Texas Instruments TMCS1101

Малый дрейф и температурная компенсация обеспечивают погрешность измерения <1.5 % FS во всем рабочем диапазоне температур.

Входной ток, протекающий через встроенный проводник сопротивлением 1.8 мОм, создает магнитное поле, измеряемое интегрированным датчиком Холла. Низкое сопротивление проводника сводит к минимуму потерю мощности и тепловое рассеивание. Гальваническая изоляция обеспечивает 600 В рабочее напряжение и базовую изоляцию 3 кА СКЗ между цепью протекания измеряемого тока и схемой. Интегрированное электрическое экранирование обеспечивает превосходное подавление синфазных помех и устойчивость к переходным процессам.

Для наиболее полного использования всего диапазона выходного напряжения микросхемы, в зависимости от измеряемого тока, выпускаются с разным коэффициентом передачи: 50, 100, 200, 400 мВ/A. TMCS1101 могут работать от однополярного источника питания напряжением 3…5.5 В. Фиксированная чувствительность позволяет исключить ошибки от шумов и нестабильности напряжения питания.

Устройство имеет внутренний резистивный делитель (рис. 1) от источника питания VS, который определяет нулевое выходное напряжение VOUT, 0 А. Этот выходной уровень нулевого тока вместе с чувствительностью определяет измеряемый диапазон входного тока устройства и обеспечивает однонаправленное или двунаправленное измерение. Эти опорные напряжения обеспечивают двунаправленный диапазон измерения тока для TMCS1101AxB и однонаправленный диапазон измерения для TMCS1101AxU.

Датчики TMCS1101 подойдут для управления электродвигателями и нагрузками, измерения токов инвертора и H-моста, защиты от перегрузки по току, корректоров коэффициента мощности, мониторинга мощности в цепях постоянного и переменного тока (рис. 2).

Возможности:

Общая погрешность: ±0.51 % тип., ±1.15 % макс., (-40…85 °С):
- погрешность чувствительности: ±0.5 %;
- погрешность смещения: 9 мА;
- дрейф смещения: 0.04 мА/°С;
- погрешность линейности: 0.05 %;

Долговременный и климатический дрейф: менее 0.5 %;

Изоляция по UL 1577: 3 кВ СКЗ;

Максимальное рабочее напряжение: 600 В DC;

Двунаправленное и однополярное измерение тока;

Температурная компенсация;

Напряжение питания: 3…5.5 В;

Собственное потребление: 5 мА (макс.);

Полоса пропускания: 80 кГц;

Чувствительность:
- TMCS1101A1U/B – 50 мВ/А;
- TMCS1101A2U/B – 100 мВ/А;
- TMCS1101A3U/B – 200 мВ/А;
- TMCS1101A4U/B – 400 мВ/А;

Диапазон рабочей температуры кристалла: -40…150 °С;

Корпус: SOIC-8

Рис. 1. Структурная схема TMCS1101

Рис. 2. Пример применения TMCS1101

Источник