Спец-ЭлектронКомплект

Компактное устройство размером 5 мм × 6 мм сократит занимаемую площадь и повысит КПД импульсных источников питания в автомобильных приложениях

Vishay Intertechnology представила n-канальный 60-вольтовый MOSFET, который является первым в отрасли устройством такого рода в двойном асимметричном корпусе PowerPAK SO-8L. Новый прибор SQJ264EP, выпускаемый подразделением Vishay Siliconix, разработан для удовлетворения потребности в компактных DC/DC импульсных источниках питания повышенной эффективности для автомобильных приложений. В небольшом корпусе нового устройства размером 5 мм × 6 мм объединены MOSFET верхнего и нижнего плеча с максимальным сопротивлением открытого канала всего 8.6 мОм.

Благодаря упаковке двух TrenchFET MOSFET в общем асимметричном корпусе, устройство, сокращает количество компонентов и требования к площади печатной платы, одновременно увеличивая удельную мощность по сравнению с решениями на основе одиночных MOSFET. Кроме того, оптимизированная комбинация размеров кристаллов управляющего (верхнее плечо) и синхронного (нижнее плечо) MOSFET обеспечивает более высокий КПД, чем симметричные сдвоенные устройства при преобразовании энергии с коэффициентом заполнения ниже 50%.

MOSFET Канала 1 SQJ264EP имеет максимальное сопротивление в открытом состоянии 20 мОм при напряжении затвор-исток, равном 10 В, и типовой заряд затвора 9.2 нКл, тогда как для транзистора Канала 2 эти значения, соответственно, составляют 8.6 мОм и 19.2 нКл. Прибор, не имеющий внутреннего коммутационного узла, предоставляет разработчикам гибкость конфигурирования транзисторов для различных топологий, включая синхронные понижающие или синхронные повышающие DC/DC преобразователи.

Высокая рабочая температура до +175 °C обеспечивает надежность сдвоенного MOSFET, необходимую для таких автомобильных приложений, как информационно-развлекательные системы, дисплеи и светодиодное освещение, а также для электровелосипедов. Кроме того, выводы SQJ264EP, изогнутые в форме «крыла чайки», обеспечивают лучшее растекание припоя под его контактами, расширенные возможности автоматического оптического контроля и более высокую надежность на уровне платы по сравнению с одиночными и сдвоенными корпусами QFN.

Транзисторы SQJ264EP подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.

Источник