Спец-ЭлектронКомплект

Устройство в компактном корпусе PowerPAIR размером 3.3 мм × 3.3 мм с сопротивлением открытого канала всего 8.05 мОм и зарядом затвора 6.5 нКл

Vishay Intertechnology представила новый 40-вольтовый полумостовой силовой каскад на n-канальных MOSFET, который обеспечивает повышенные значения плотности мощности и КПД для бытовой техники, а также промышленных, медицинских и телекоммуникационных приложений. Объединив MOSFET верхнего и нижнего плеч в одном компактном корпусе PowerPAIR размером 3.3 мм × 3.3 мм, подразделение Vishay Siliconix создало прибор с лучшим в своем классе произведением сопротивления открытого канала на заряд затвора – важнейшим критерием качества MOSFET, используемых в приложениях преобразования энергии.

MOSFET от Vishay

Два TrenchFET MOSFET в устройстве SiZ240DT внутренне соединены в полумостовой конфигурации. Сопротивление открытого MOSFET Канала 1, который обычно используется в качестве управляющего коммутатора в синхронных понижающих преобразователях, не превышает 8.05 мОм при напряжении затвора 10 В и 12.25 мОм при напряжении затвора 4.5 В. Максимальное сопротивление открытого MOSFET Канала 2, типичной областью использования которого является синхронная коммутация, равно 8.41 мОм при напряжении затвора 10 В и 13.30 мОм при напряжении затвора 4.5 В. Эти значения до 16% ниже, чем у ближайших конкурирующих продуктов. В сочетании с низким зарядом затвора, равным 6.9 нКл (Канал 1) и 6.5 нКл (Канал ), результирующее произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора на 14% ниже, чем у ближайшего лучшего устройства, что позволяет повысить КПД приложений с высокими скоростями переключения.

Внутренняя схема SiZ240DT

Этот MOSFET на 65% меньше, чем сдвоенные устройства в корпусах размером 6 мм × 5 мм, что делает его одним из самых миниатюрных интегральных продуктов на рынке. Он предоставляет разработчикам компактное решение для управления двигателями пылесосов, дронов, электроинструментов, систем автоматизации дома/офиса и неимплантируемых медицинских устройств, а также для создания полумостовых силовых каскадов синхронных понижающих преобразователей, DC/DC преобразователей, беспроводных зарядных устройств и импульсных источников питания в телекоммуникационном оборудовании и серверах.

В конструкции интегрального MOSFET отсутствуют проводные соединения, что минимизирует паразитные индуктивности и позволяет использовать транзисторы на высоких частотах переключения и, таким образом, уменьшить размеры как магнитных элементов, так и всей конструкции. Оптимизированное отношение QGD/QGS снижает уровень шумов, дополнительно улучшая коммутационные характеристики устройства. Транзисторы SiZ240DT подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.

Источник