Спец-ЭлектронКомплект

Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC.

Промо Infineon

Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энергии, необходимой для включения транзистора (Eon), а также уменьшить потери на переключение.

Pin-to-pin-совместимость с кремниевыми аналогами позволяет без труда произвести замену транзисторов в уже готовых решениях, увеличив при этом КПД на 0,1% на каждые 10 кГц. К примеру, замена кремниевого IGBT на гибридный CoolSiC IGBT в полумостовом преобразователе, работающем на частоте 23 кГц, позволит повысить КПД примерно на 0,23%.

Особенности:

Низкие потери на переключение благодаря сочетанию технологий TRENCHSTOP 5 и CoolSiC;

Высокий КПД;

Pin-to-pin-совместимость с полностью кремниевыми аналогами;

Низкое значение прямого напряжения (в том числе при высокой температуре);

2 типа корпуса: TO247-3pin и TO-247-4pin.

Области применения

Зарядные устройства;

Сварочные аппараты;

Системы преобразования солнечной энергии;

Системы накопления и хранения энергии;

Источники бесперебойного питания (ИБП);

Промышленные импульсные источники питания (SMPS).

Пример использования 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

Источник