SiC MOSFET 1200 В 40 мОм 3 поколения от Wolfspeed
08 февраля 2021
Компания Wolfspeed (Cree) выпустила SiC-МОП транзистор 1200 В, 40 мОм, 66 А в корпусе TO-247-4 поколения Gen 3 C3M0040120K.
Предоставлено Wolfspeed
Технические характеристики C3M0040120K:
- напряжение пробоя: 1200 В
- суммарный заряд затвора: 99 нКл
- максимальная температура перехода: 175 °C
- заряд обратного восстановления: 850 нКл
- время обратного восстановления: 17 нс
Применение транзистора:
- возобновляемые источники энергии
- зарядные устройства электромобилей
- источники бесперебойного питания (ИБП)
- импульсные источники питания
Источник
Телефон: +7 (495) 234-0110
Москва, ул. Краснопролетарская, д. 16, подъезд No.5
Тел.: +7 (495) 234-0110
Факс: +7 (495) 956-3346
E-mail: sales@s-ekomplekt.ru