Спец-ЭлектронКомплект

Компонент DI040N03PT-AQ поставляется в крошечном QFN3x3 «безвыводном» силовом корпусе, где почти все контактные группы «скрыты» на нижней стороне устройства. Таким образом, занимаемое на плате пространство составляет не более 3,3×3,3 мм². Низкое значение параметра RDS (on) (обычно 6 мОм), обеспечивает ток стока до 40 А при температуре корпуса 25 °C. Напряжение Сток-Исток может быть до 30 В, с энергией лавинного перехода для одиночного импульса 100 мДж. Эти MOSFET транзисторы подходят не только для работы в цепи постоянного тока, но и благодаря своим низким значениям включения и выключения также для высокочастотной коммутации. Помимо сертифицированного для автомобильного применения (AEC-Q101) DI040N03PT-AQ компонентов, можно заказать также коммерческую версию DI040N03PT.

Типоразмеры и характеристики:

Корпус: QFN3x3;

Тип монтажа: поверхностный на плату;

N-канальный силовой MOSFET;

ID25°C= 40 А;

RDS(on)~ 6 мОм;

Tjmax= 150°С;

VDSS= 30 В;

PD= 25 Вт;

EAS= 100 мДж.

Подробное техническое описание представлено по ссылке

Применение:

USB зарядные устройства;

Блоки управления питанием;

Устройства, работающие от батарейки;

Переключатели нагрузки;

Защита от неправильной полярности.

Источник