Спец-ЭлектронКомплект

Infineon Technologies расширяет свой растущий портфель микросхем одноканальных драйверов затворов. Новое семейство микросхем одноканальных драйверов затворов EiceDRIVER 1EDB обеспечивает гальваническую развязку входа и выхода 3 кВ (в соответствии со стандартом UL 1577), гарантируя надежное разделение земляных петель. Их устойчивость к синфазным переходным процессам превышает 300 В/нс, что делает эти устройства идеальным выбором для приложений с жесткой коммутацией, допускающих множество вариантов топологий.

Новое семейство, включающее четыре устройства (1EDB6275F, 1EDB7275F, 1EDB8275F и 1EDB9275F), оптимизировано для приложений управления транзисторами как верхнего, так и нижнего плеча. Они могут решить проблемы разводки печатных плат, с которыми часто сталкиваются разработчики силовых приложений, таких как импульсные источники питания серверного и телекоммуникационного оборудования, а также системы бесперебойного питания. Необходимость в повышенной удельной мощности зарядных устройств электромобилей часто требует использования мощных MOSFET с быстрым переключением. Применение карбидокремниевых MOSFET в инверторах солнечных электростанций позволяет как снизить потери переключения, так и значительно повысить плотность мощности. Новое семейство 1EDB предназначено для всех этих приложений, обеспечивая высокий КПД системы, а также надежность и безопасность ее работы.

Для простоты проектирования все драйверы поставляются с отдельными и очень низкоомными выходами вытекающего (0.95 Ом) и втекающего тока (0.48 Ом), способными отдавать пиковые токи 5.4 А и 9.8 А, соответственно. Это имеет важнейшее значение для снижения коммутационных потерь в мощных MOSFET. Разброс задержек распространения от входа к выходу составляет ±4 нс, помогая снизить потери переключения, что существенно для приложений с быстрой коммутацией. Типовое время блокировки выходного каскада составляет всего 20 нс, гарантируя функциональную безопасность системы, особенно во время ее запуска.

Разработчика доступен выбор из четырех вариантов блокировки при пониженном напряжении:

0 В для MOSFET с логическими уровнями управления (1EDB7275F)

0 В для MOSFET с нормальными уровнями управления (1EDB8275F)

12 В для 650-вольтовых MOSFET CoolSiC (15-вольтовая схема управления, 1EDB6275F)

12 В для 650-вольтовых MOSFET CoolSiC (схема управления с напряжением питания ≥18 В, 1EDB9275F)

Источник