Спец-ЭлектронКомплект

Vishay Intertechnology представила новый универсальный 30-вольтовый n-канальный MOSFET, изготавливаемый по технологии TrenchFET пятого поколения и обеспечивающий повышенные значения плотности мощности и КПД как для изолированных, так и для неизолированных топологий преобразователей. Транзистор SiSS52DN, поставляемый подразделением Vishay Siliconix в корпусе PowerPAK 1212-8S размером 3.3 мм × 3.3 мм со сниженным тепловым сопротивлением, имеет лучшее в своем классе сопротивление открытого канала 0.95 мОм при напряжении стока 10 В, что на 5% лучше по сравнению с продуктами предыдущего поколения. Кроме того, при напряжении 4.5 В устройство в открытом состоянии обеспечивает сопротивление 1.5 мОм, а произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора – критический показатель качества для MOSFET, используемых в приложениях коммутации, – равное 29.8 мОм·нКл, является одним из самых низких на рынке.

По сравнению с устройствами предыдущего поколения фактор качества SiSS52DN улучшен на 29%, что позволит снизить потери проводимости и переключения для экономии энергии в приложениях импульсного преобразования.

SiSS52DN идеально подходит для коммутаторов нижнего плеча синхронных выпрямителей, синхронных понижающих преобразователей, DC/DC регуляторов, резонансных LLC преобразователей, силовых схем диодного «ИЛИ» и коммутаторов нагрузки в источниках питания серверов, телекоммуникационного и радиочастотного оборудования. Обеспечивая высокий уровень характеристик в изолированной и неизолированной конфигурациях, новый MOSFET упрощает выбор компонентов для разработчиков, работающих с обеими топологиями.

Транзисторы проходят стопроцентную проверку на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.

В настоящее время доступны единичные образцы и промышленные партии транзисторов SiSS52DN. Срок поставки приборов составляет 12 недель.

Источник