GaN-on-SiC-транзистор на 50 Вт с рабочим частотным диапазоном 5..6 ГГц
13 февраля 2018
Integra Technologies анонсировала выпуск согласованного транзистора с технологией GaN-on-SiC, пиковой мощностью 50 Вт и частотным диапазоном 5..6 ГГц. Спроектированный для импульсных радарных систем С-диапазона компонент IGT5259L50 HEMT согласован на 50 Ом.
Точный частотный диапазон транзистора: 5,2..5,9 ГГц, усиление 14 дБ при КПД до 43 % (импульсы 1 мс / 15 %). Компонент выпускается в RoHS-совместимом металлокерамическом корпусе 20 х 11 мм с монтажными фланцами и позолоченным напылением.
Высокочастотные мощностные характеристики нового транзистора полностью испытаны в 50-оммной схеме. Компонент соответствует требованиям стандарта MIL-STD-750D.
Источник
Телефон: +7 (495) 234-0110
Москва, ул. Краснопролетарская, д. 16, подъезд No.5
Тел.: +7 (495) 234-0110
Факс: +7 (495) 956-3346
E-mail: sales@s-ekomplekt.ru
Последние новости
