Спец-ЭлектронКомплект

-Первая в отрасли микросхема EEPROM емкостью 4 Мбит в миниатюрном недорогом 8-выводном корпусе.

-Увеличение объема хранимых данных расширяет функциональные возможности и повышает точность интеллектуальных устройств.

STMicroelectronics (ST) представила новое поколение микросхем памяти, сочетающих беспрецедентную плотность хранения данных с высоким быстродействием и надежностью, которые сделают устройства, ежедневно используемые нами в жизни и на работе, еще более удобными.

Новые микросхемы памяти EEPROM емкостью 4 Мбит позволят небольшим устройствам собирать через последовательную шину SPI и хранить больше данных. Это повысит эффективность такого оборудования, как интеллектуальные приборы учета, которые смогут увеличить объем собираемой информации и сделать тарификацию более удобной для пользователей. Портативные медицинские устройства смогут интенсивнее регистрировать данные пациентов, чтобы повысить качество медицинского наблюдения, а потребительские устройства, такие как интеллектуальные носимые устройства, смогут поддерживать больше пользовательских функций и обеспечивать более высокую точность. Низкое энергопотребление микросхем в этих приложениях поможет продлить время автономной работы от батарей. Память высокой плотности может также принести пользу широкому спектру приложений в промышленных системах управления и устройствах инфраструктуры связи, таких как сетевые коммутаторы.

«ST является общепризнанным мировым лидером в производстве микросхем последовательных EEPROM, которые широко используются в потребительских, промышленных и автомобильных приложениях, и мы продолжаем прокладывать пути для инновационных технических решений, – сказал Бенуа Родригес (Benoit Rodrigues), генеральный директор подразделения запоминающих устройств компании STMicroelectronics. – Первые на рынке микросхемы EEPROM емкостью 4 Мбит изготавливаются по нашей собственной технологии КМОП с проектными нормами 110 нм – самой передовой в отрасли для приборов EEPROM».

Микросхемы EEPROM M95M04 сочетают в себе беспрецедентный объем хранимых данных с превосходной энергоэффективностью и прекрасно подходят для бюджетных приложений. Они дополняют широкий ассортимент микросхем ST, отличающихся общепризнанной высокой надежностью, и выдерживают миллиард циклов чтения-записи полной памяти. Новые устройства, время записи блока 512 байт в которые составляет всего 5 мс, поддерживают высокую скорость работы системы и низкие задержки.

Дополнительная техническая информация
EEPROM M95M04 обеспечивает высокую плотность энергонезависимого хранения таких постоянных данных, как прикладные коды, калибровочные таблицы и пользовательские параметры, а также регистрацию большого количества информации.

Имея самую высокую на рынке плотность хранения данных в небольших 8-контактных корпусах SO8N и TSSOP8, новые приборы предоставляют возможность реализации самых малозатратных решений по сравнению с такими конкурирующими устройствами, как сегнетоэлектрическая и магниторезистивная память, а также EEPROM, эмулированные с помощью микроконтроллера и Flash, которые потребляют больше энергии и имеют более узкий диапазон напряжений питания, чем КМОП микросхемы EEPROM.

EEPROM M95M04 работают в широком диапазоне напряжений питания от 1.8 В до 5.5 В и сохраняют информацию в течение 40 лет. В дополнение к корпусам SO8N и TSSOP8 также предлагается версия прибора в современном корпусе с размерами кристалла WLCSP с 8 шариковыми выводами.

Источник