Спец-ЭлектронКомплект

Компания Greenliant начала продажи предсерийных образцов модулей твердотельных накопителей NVMe M.2 ArmourDrive, предназначенных для потребителей, нуждающихся в высокопроизводительных сменных носителях данных большого объема, способных работать в экстремальных условиях окружающей среды. В новых накопителях NVMe M.2 ArmourDrive серии 88 PX, рассчитанных на работу в промышленном диапазоне температур от –40 до +85 °C, используются микросхемы флеш-памяти 3D NAND с тремя битами на ячейку (TLC). Устройства выпускаются в широко распространенных форм-факторах 2242 и 2280.

Накопители NVMe ArmourDrive серии 88 PX обеспечивают высокую производительность и низкую задержку для приложений, требующих большого объема транзакций, а также приложений, критически важных для бизнеса. Легко масштабируемый протокол NVMe оптимизирован для эффективного переноса данных через интерфейс PCIe в микросхемы флеш-памяти NAND. Скорость последовательного чтения/записи компактных и энергоэффективных продуктов M.2 2242, поддерживающих интерфейс PCIe Gen3x2, может достигать 1,550/950 МБ/с. Модули M.2 2280 с аппаратным шифрованием и DRAM поддерживают интерфейс PCIe Gen3x4 и могут достигать скорости последовательного чтения/записи 3,470/3,000 МБ/с. Универсальные форм-факторы накопителей NVMe M.2 ArmourDrive идеально подходят для ограниченных в объеме встраиваемых и корпоративных систем, используемых в сферах облачных вычислений, вещания, промышленных игр, автоматизации производства, организации сетей и безопасности.

В перечень основных преимуществ твердотельных накопителей NVMe M.2 ArmourDrive серии 88 PX входят:

Сверхвысокая производительность:

Скорость чтения/записи достигает 3,470/3,000 МБ/с.

Широкий диапазон емкостей:

64 ГБ, 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ в форм-факторе 2242 и 240 ГБ, 480 ГБ, 960 ГБ, 1.92 ТБ в форм-факторе 2280.

Промышленный диапазон температур:

Работают в диапазоне от –40 до +85 °C.

Встроенная схема коррекции ошибок:

Используют усовершенствованную технологию обнаружения и коррекции битовых ошибок, оптимизированную для 3D NAND.

Усовершенствованная технология управления флеш-памятью:

Использование динамического и статического выравнивания износа увеличивает срок службы накопителей.

Защита данных:

Поддерживают алгоритмы шифрования AES-256/TCG OPAL и безопасное стирание.

Источник