Спец-ЭлектронКомплект

Контроллеры SMC 1000 8x25G обеспечивают широкую полосу пропускания для памяти ЦП и СнК следующего поколения для искусственного интеллекта и машинного обучения

По мере роста требований к вычислительным ресурсам систем с искусственным интеллектом (ИИ) и машинного обучения стандартные параллельно соединенные кристаллы DRAM являются главным препятствием для использования центральных процессоров (ЦП) следующего поколения, которым требуется больше каналов памяти для реализации более широкой полосы пропускания. Компания Microchip Technology Inc. заявляет о пополнении ассортимента устройств для центров обработки данных (ЦОД) и выходе на рынок инфраструктуры памяти первого в отрасли серийного контроллера последовательной памяти. Контроллер SMC 1000 8x25G позволяет ЦП и другим СнК, применяемым для вычислительных операций, использовать в четыре раза больше каналов памяти по сравнению с параллельно включенными кристаллами DDR4 DRAM при том же размере корпуса. Контроллеры последовательной памяти от Microchip обеспечивают более широкую полосу пропускания для запоминающих устройств, независимость платформ с большой вычислительной мощностью от типа носителей информации и очень малую задержку.

С увеличением числа процессорных ядер центрального процессора у каждого из них уменьшилось среднее значение полосы пропускания памяти, поскольку ЦП и СнК не могут масштабировать количество параллельных DDR-интерфейсов в одном кристалле, чтобы увеличить число ядер.
Ключевые факты:
· широкая полоса пропускания контроллеров SMC 1000 8x25G для памяти ЦП и СнК следующего поколения
· первые в отрасли серийные контроллеры последовательной памяти для систем ИИ и машинного обучения
· в четыре раза больше каналов памяти по сравнению с параллельно соединенными кристаллами DDR4 DRAM и малая задержка
· OMI-интерфейсу не требуется отдельный контроллер памяти для каждого типа носителя информации

Контроллер SMC 1000 8x25G взаимодействует с ЦП по каналам, совместимым с 8-бит OMI-интерфейсом, со скоростью 25 Гбит/с и соединяется с памятью с помощью 72-бит интерфейса DDR4 3200. В результате значительно сокращается требуемое число выводов ЦП или СнК из расчета на один канал DDR4, что позволяет использовать больше каналов памяти и увеличить предоставляемую ей ширину полосы пропускания.ЦП или СнК с поддержкой интерфейса OMI получают возможность работать с широким рядом типов носителей с разной стоимостью, энергопотреблением и производительностью, не интегрируя соответствующий контроллер памяти. В то же время интерфейсы памяти других ЦП и СнК, как правило, «привязаны» к определенному протоколу DDR, как в случае с DDR4 при заданных скоростях обмена данными. SMC 1000 8x25G – первое изделие, предназначенное для инфраструктуры запоминающих устройств в линейке Microchip, которое допускает использование OMI-интерфейса, независимого от типа носителя.

Современным приложениям для центров обработки данных требуются запоминающие устройства DDIMM на основе OMI-интерфейса, чтобы обеспечить ту же ширину полосы пропускания и малую задержку, что и у современных устройств на базе кристаллов DDR с параллельным соединением. Благодаря инновационной схеме построения контроллера SMC 1000 8x25G инкрементная задержка не превышает 4 нс при первом и последующем доступах к данным памяти DRAM. Таким образом, у DDIMM-изделий с интерфейсом OMI фактически та же полоса пропускания и задержка, что у аналогов – модулей LRDIMM.

«Компания Microchip представляет первый в отрасли контроллер последовательной памяти, – заявил Пит Хазен (Pete Hazen), вице-президент отдела Data Center Solutions компании Microchip. – Новые интерфейсные технологии памяти, к которым относится OMI, позволяют широкому ряду приложений с СнК отвечать растущим требованиям высокопроизводительных приложений ЦОД. Выход компании Microchip на рынок инфраструктуры запоминающих устройств подчеркивает наше стремление повышать эффективность работы ЦОД».

«Поскольку требования заказчиков IBM к рабочей нагрузке памяти возрастают, мы приняли стратегическое решение – использовать стандартные интерфейсы OMI для памяти процессоров POWER, чтобы увеличить ширину полосы пропускания запоминающих устройств, – сообщил Стив Филдс (Steve Fields), главный инженер отдела Power Systems компании IBM. – Наша компания высоко ценит сотрудничество с Microchip по реализации этого решения».

Компании SMART Modular, Micron и Samsung Electronics разрабатывают 84-выводные модули DDR4 DDIMM объемом 16–256 Гбайт. Эти модули с контроллерами SMC 1000 8x25G будут легко работать с любым OMI-совместимым интерфейсом со скоростью 25 Гбит/с.

Средства проектирования
Для упрощения разработки систем, совместимых со стандартом OMI, контроллеры SMC 1000 поставляются вместе со средствами диагностики ChipLink, обеспечивающими полноценную отладку, диагностику и настройку, а также с аналитическими средствами с интуитивно понятным интерфейсом пользователя.

Источник