Спец-ЭлектронКомплект

Позволяет создавать высокочастотные высокоэффективные системы управления питанием таких приложений, как электрические и гибридные транспортные средства, датацентры и вспомогательные источники питания

Расширяя свой портфель SiC MOSFET, компания Littelfuse представила новый 1700-вольтовый прибор LSIC1MO170E1000. LSIC1MO170E1000 стал важным дополнением к 1200-вольтовым SiC MOSFET и диодам Шоттки, уже выпускаемым Littelfuse. Конечные пользователи получат ощутимую выгоду от более компактных и энергоэффективных систем и, кроме того, от теоретически более низких эксплуатационных издержек.

Высокий КПД, обеспечиваемый технологией SiC MOSFET, даст множество преимуществ электрическим и гибридным транспортным средствам, датацентрам и вспомогательным источникам питания. По сравнению с другими Si IGBT, имеющими аналогичные параметры, LSIC1MO170E1000 предоставляет целый ряд возможностей оптимизации системного уровня, включая более высокий КПД, увеличенную плотность мощности, сниженные требования к охлаждению и, потенциально, сокращение системных затрат.

При сравнении с другими SiC MOSFET-устройствами ведущих производителей отрасли новые транзисторы Littelfuse либо не уступают им по любому из основных параметров, либо превосходят их. В число типичных областей применения LSIC1MO170E1000 входят:

Солнечные инверторы
Импульсные и бесперебойные источники питания;
Драйверы электромоторов;
Высоковольтные DC/DC преобразователи;
Устройства индукционного нагрева.
Новые 1700-вольтовые SiC MOSFET с сопротивлением канала 1 Ом характеризуются следующими основными особенностями:

Параметры, оптимизированные для высокочастотных высокоэффективных приложений;
Чрезвычайно низкие значения заряда затвора и выходной емкости;
Низкое сопротивление затвора.

Источник