Спец-ЭлектронКомплект

Новый оптрон, доступный в 16-выводном корпусе SO16L, включает улучшенную функцию обнаружения момента десатурации транзистора и схему активного подавления эффекта Миллера.

Toshiba Electronics Europe объявила о выпуске нового интеллектуального оптрона TLP5214A для управления затворами IGBT-транзисторов средней мощности и силовых MOSFET-транзисторов, предназначенного для широкого спектра приложений, таких как промышленные инверторы, инверторы солнечных панелей, источники бесперебойного питания, системы вентиляции и кондиционирования воздуха и сервоусилители.

Устройство поддерживает функции обнаружения десатурации IGBT-транзистора, оснащен изолированной цепью обратной связи сигнализации ошибки, схемой плавного выключения IGBT-транзистора, активного подавления эффекта Миллера и блокировки при недопустимом падении входного напряжения (UVLO). Помимо этого, TLP5214A отличается улучшенным временем маскировки переднего фронта импульса сигнала десатурации, составляющим 1.1 мкс (тип.), сниженной до 90 нс задержкой прохождения сигнала десатурации и увеличенным до 7 мкс временем плавного выключения IGBT-транзистора, что гарантирует высокую безопасность и надежность работы пользовательского приложения.

TLP5214A работает от источника питания напряжением от 15 В до 30 В и обеспечивает пиковый выходной ток до ±4 А (макс.). Малое время задержки распространения сигнала, не превышающее 150 нс (с искажениями не более ±80 нс), позволяет применять оптрон в высокочастотных схемах коммутации. «Широкий» 16-выводной корпус с высотой профиля не более 2.3 мм отвечает требованиям всех основных международных стандартов безопасности. Напряжение изоляции TLP5214A составляет 5000 В (переменный ток, в течение 1 мин.), а минимальный путь тока утечки и изолирующий зазор — 8 мм.

Внутренняя архитектура TLP5214A

Отличительные особенности:

-Пиковый выходной ток: ±4 А (макс.)
-Напряжение питания силового каскада: от 15 В до 30 В
-Ток потребления: 3.8 мА (макс.)
-Пороговый ток включения: IFLH = 6 мА (макс.)
-Максимальное время переключения (tpLH / tpHL): 150 нс
-Время маскировки сигнала десатурации: 1.1 мкс (тип.)
-Время фильтрации сигнала десатурации: 90 нс (тип.)
-Уровень устойчивости к синфазным помехам: не менее ±35 кВ/мкс
-Пробивное напряжение изоляции: не менее 5000 В (переменный ток, в течение 1 мин.)
-Диапазон рабочих температур: от −40°C до +110°C
-16-выводной корпус SO16L

Область применения:

Схемы управления IGBT- и силовыми MOSFET-транзисторами
-Промышленные инверторы
-Инверторы фотоэлектрических панелей
-Инверторы источников бесперебойного питания
-Сервоусилители

Источник