Спец-ЭлектронКомплект

К 2026 году в ТУСУРе разработают установку для измерения параметров поверхности полупроводниковых пластин. Задача прибора – контроль шероховатости и рельефа поверхности полупроводниковых пластин, измерение высоты и составление 3D-карты профиля топологии изготавливаемых микросхем на различных этапах технологического процесса.

«Профилометр необходим при производстве микроэлектроники. На этапах прохождения полупроводниковой пластины по маршруту он задействуется после каждой технологической операции формирования фоторезистивной маски и топологии микросхемы, — рассказывает директор НОЦ «Нанотехнологии» Евгений Шестериков. – Это важная операция в технологическом маршруте – на основе результатов тестирования можно либо оперативно скорректировать технологический процесс, либо удостовериться, что все делается правильно».

Измерение с помощью прибора позволяет определять механические напряжения в полупроводниковых пластинах после формирования металлических или диэлектрических слоев. Это очень важно при производстве, потому что, если механические напряжения будут превышать определенный уровень, может потрескаться либо сама пластина, либо диэлектрические пленки, выполняющие роль межуровневой изоляции, конденсаторного диэлектрического слоя или защитного слоя. Такие пластины нужно отслеживать и снимать с технологического маршрута.

Прибор, изготавливаемый в ТУСУРе – отечественный аналог роботизированного оптического профилометра.

На данном этапе уже создан макет измерительной головки на основе оптической интерферометрической системы измерения, в которой задействован лазер и оптический приемник, ведется работа над роботом-загрузчиком и системой прецизионного перемещения пластины. В качестве эталонов высоты будут применяться пластины, которые изготавливаются на базе НОЦ «Нанотехнологии» и проходят калибровку в ФГБУ «ВНИИМС». Алмазные стилусы с различными радиусами закругления, непосредственно контактируемые с поверхностью полупроводниковых пластин, будут также изготавливаться на базе НОЦ «Нанотехнологии».

Источник