Спец-ЭлектронКомплект

Внутренняя схема транзистора SSM6N357R.

Компания Toshiba Electronics Europe объявила о начале серийного производства новой серии MOSFET с цепями активного ограничения – встроенными диодами между выводами стока и затвора. Одиночные транзисторы SSM6N357R и сдвоенные SSM6N357R предназначены для управления индуктивными нагрузками, такими как механические реле и соленоиды.

Новые приборы серии 357 защищают драйверы от возможных повреждений бросками напряжения, вызываемыми действием противо-ЭДС индуктивных нагрузок. В них интегрированы подтягивающий к земле резистор, последовательный резистор и стабилитрон, позволяющие сократить количество внешних компонентов и размеры печатной платы.
Устройства рассчитаны на максимальные напряжения сток-исток, равные 60 В, и максимальные токи стока 0.65 А. Эффективная работа с минимальным тепловыделением обеспечивается низким сопротивлением открытого канала, величина которого при управляющем напряжении 5 В составляет 800 мОм.

Одиночный транзистор SSM3K357R, выпускаемый в корпусе SOT-23F размером 2.9 мм × 2.4 мм × 0.8 мм, благодаря низкому рабочему напряжению 3.0 В, может использоваться для управления реле и соленоидами. Устройства сертифицированы на соответствие требованиям стандарта AEC-Q101, что дает возможность использовать их в автомобильных и многих промышленных приложениях.

Сдвоенный транзистор SSM6N357R предлагается в корпусе TSOP6F с размерами 2.9 мм × 2.8 мм × 0.8 мм, и занимает на плате на 42% меньше места, чем два одиночных устройства.

Транзисторы SSM3K357R и SSM6N357R уже могут отгружаться заказчикам в промышленных объемах.

Источник