Спец-ЭлектронКомплект

Infineon Technologies расширяет свое семейство IGBT, изготавливаемых на тонких пластинах по технологии TRENCHSTOP 5. В новое семейство приборов с интегрированными 40-амперными антипараллельными диодами вошли IGBT с допустимыми токами до 40 А и напряжениями до 650 В. Транзисторы предлагаются в корпусах для поверхностного монтажа TO-263-3, известных также под обозначением D2PAK. Новые транзисторы обеспечат растущий спрос на силовые устройства повышенной мощности и эффективности для автоматизированной установки на плату. Типичными сферами применения таких устройств могут быть солнечные инверторы, источники бесперебойного питания, зарядные устройства аккумуляторов и накопители энергии.

Технология ультратонких подложек TRENCHSTOP 5 позволяет увеличить плотность мощности, сократив размеры кристалла. С ее помощью Infineon удалось стать первой компанией, сумевшей объединить 40-амперный 650-вольтовый IGBT с 40-амперным диодом в одном корпусе D2PAK. Допустимая мощность любых конкурирующих продуктов с интегрированными диодами не превышает 75% мощности новых транзисторов Infineon.

Высокая плотность мощности новых устройств позволяет разработчикам модернизировать существующие конструкции для увеличения выходной мощности до 25%, или же сделать их более компактными, сократив количество транзисторов, включенных параллельно. Уникальные приборы, объединившие в одном корпусе D2PAK 40-амперные диоды и транзисторы, можно рассматривать как альтернативу приборам, выпускаемым в корпусах для поверхностного монтажа D3PAK или TO-247.

Доступность
Новые 650-вольтовые IGBT в корпусах D2PAK запущены в массовое производство. В новое семейство приборов вошли 15-, 20- и 30-амперные одиночные IGBT, а также 15-, 20-, 30- и 40-амперные IGBT с интегрированными антипараллельными диодами, рассчитанными на такие же токи.

Источник