Спец-ЭлектронКомплект

Компания Infineon представила MOSFET модули в корпусе EasyDUAL™ 1B из новой линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения – полумост.

Модули оснащены встроенным в подложку NTC датчиком. Новые приборы обладают низкими значениями RDS(ON) и при этом, в отличии от классических Si IGBT, позволяют работать на высоких частотах. Встроенный в MOSFET структуру обратный диод обладает малым временем обратного восстановления.

Как видно из рисунка ниже, у приборов на основе SiC линейки CoolSiC™, в сравнении с Si IGBT, практически не наблюдается выброс тока при включении и так называемый «токовый хвост» при выключении. При этом отсутствует зависимость энергии потерь от температуры.

Благодаря малому заряду затвора и низким значениям паразитных емкостей удалось значительно снизить уровень коммутационных потерь, открывая возможность работы на высоких частотах.

Другим достоинством технологии CoolSiC™ компании Infineon является совместимость уровней напряжения затвора с обычным IGBT (-5,+15 В), что позволяет использовать для управления широкую номенклатуру существующих на данный момент драйверов. Пороговое напряжение затвора выше 4 В обеспечивает достаточную защиту от ложного включения, вызванного паразитными dv/dt в цепи затвора.

Корпус EasyDUAL™ 1B обладает низкой собственной паразитной индуктивностью (9 нГн) и обеспечивает симметричные пути протекания токов от силовых выводов, облегчая, таким образом, параллельное соединение модулей.

Особенности MOSFET модулей на 1200 В на основе SiC в корпусе EasyDUAL™ 1B

Низкие значения паразитных емкостей;
Отсутствие зависимости энергии потерь от температуры;
Встроенный обратный диод с малым временем обратного восстановления;
Сигналы управления -5 В, +15 В, как у IGBT;
Пороговое напряжение затвора >4 В;
Устойчивость к токам КЗ, 3мкс;
Низкая паразитная индуктивность корпуса;
Надежная технология соединения PressFIT;
Встроенный NTC.
Целевые применения

DC/DC преобразователи с высокой частотой коммутации;
Источники бесперебойного питания;
Зарядные устройства для батарей, электротранспорта;
Инверторы для солнечных батарей.

Источник