Спец-ЭлектронКомплект

В Институте прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН) в Нижнем Новгороде ведется разработка первой российской установки литографии для производства микроэлектроники сверхмалого нанометража. Об этом сообщается на сайте «Стратегия развития нижегородской области».

На данный момент учеными РАН создан первый демонстрационный образец оборудования. На этой установке получены отдельные изображения на подложках с разрешением до предельных 7 нм.

Сейчас «Микрон» — единственный в России контрактный вендор полупроводников, способен выпускать относительно современные чипы. На предприятии освоен выпуск микросхем по топологии 65 нм, но лишь для штучных партий — инженерных образцов. Массовое же производство налажено лишь для топологии не ниже 90 нм, что по современным меркам — «прошлый век».

К примеру, тайваньская TSMC начала освоение двухнанометровой нормы производства чипов и процессоров еще в июне 2019 г.

Промышленный образец отечественного литографа на 7 нм планируется создать через шесть лет. Так, в 2024 г. будет создана «альфа-машина». Такая установка станет рабочим оборудованием, на котором можно будет проводить полный цикл операций.

На втором этапе в 2026 г. появится «бета-машина». Системы оборудования будут улучшены и усложнены, увеличится разрешение, повысится производительность, многие операции будут роботизированы, отмечается на сайте нижегородской стратегии. Установку уже можно будет применять на масштабных производствах.

И на третьем этапе (2026-2028 гг.) отечественный литограф получит более мощный источник излучения, улучшенные системы позиционирования и подачи, и начнет полноценную работу.

Оптическая система демонстратора, собранная в ИПФ РАН, уже превосходит все аналоги, существующие в мире на сегодняшний день, считает замдиректора Института физики микроструктур РАН по научно-технологическому развитию Николай Чхало.

По сравнению, например, с литографами крупнейшего производителя литографического оборудования для микроэлектронной промышленности ASML в нижегородской модели источник излучения в разы компактнее и чище в работе, отметил Чхало. По его словам, последнее обстоятельство значительно влияет на стоимость, размеры и сложность оборудования.

На выходе при равной мощности источника излучения отечественная установка будет в 1,5-2 раза эффективнее того, что создано ASML.

В мае 2022 г. стало известно о планах «Микрона» совместно с «Московским институтом электронной техники» (МИЭТ) и Зеленоградским нанотехнологическим центром разработать оборудование для производства микросхем топологического уровня 28 нм и меньше.

Оборудование планируется создать на базе действующих и запускаемых в стране синхротронов (в ТНК «Зеленоград», НИЦ «Курчатовский институт»), а также на базе отечественных плазменных источников.

Источник