Спец-ЭлектронКомплект

В России планируют создать оборудование для производства микросхем топологического уровня 28 нм и меньше. Для его создания будут использованы производственные мощности Зеленоградского нанотехнологического центра и «Микрона». Проект по заказу Минпромторга должен быть реализован до конца 2022 г.

«Микрон» совместно с «Московским институтом электронной техники» (МИЭТ) и Зеленоградским нанотехнологическим центром разработают оборудование для производства микросхем топологического уровня 28 нм и меньше. Об этом пишет CNews со ссылкой на сайт МИЭТ.

Научно-исследовательской работой (НИР) для создания оборудования займутся ученые Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонентная база» МИЭТ.

Проект должен быть реализован до конца 2022 г. по заказу Минпромторга в рамках госпрограммы «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности».

НИР будет заключаться в изучении возможности разработки установки безмасочной рентгеновской нанолитографии (технологии изготовления электронных микросхем) с длиной волны 13,5 нм на базе синхротронного либо плазменного источника. В сентябре 2021 г. МИЭТ получил грант Минобрнауки на реализацию этих исследований, сообщает сайт университета.

На основе полученных результатов будет разработан технический облик будущей литографической установки, выработаны и обоснованы параметры ее ключевых узлов: источника рентгеновского излучения, оптической системы, вакуумной системы, системы совмещения и позиционирования.

Оборудование планируется создать на базе действующих и запускаемых в стране синхротронов (в ТНК «Зеленоград», НИЦ «Курчатовский институт»), а также на базе отечественных плазменных источников.

Отечественные и мировые аналоги подобного решения и самой технологии безмасочной рентгеновской нанолитографии на сегодняшний день отсутствуют, подчеркивают в университете.

Для изготовления образцов микроэлектромеханических систем динамической маски будут использованы производственные мощности «Микрона» и Зеленоградского нанотехнологического центра.

В Институте физики микроструктур РАН в Нижнем Новгороде и зеленоградском НПП «Электронное специальное технологическое оборудование» конструируют оптическую вакуумную систему с зеркальной оптикой и элементы системы позиционирования.

Для испытаний будет использован источник плазмы, разработанный в Институте спектроскопии РАН.

В феврале 2012 г. на базе «Микрона» было запущено микроэлектронное производство по технологии 90 нм. В создание производства было вложено 16,5 млрд руб., из которых «Ситроникс» и Роснано (участники проекта)инвестировали по 6,5 млрд руб., а еще 3 млрд руб. были привлечены в виде займа. Технология дополнила уже существующую на «Микроне» линию по технологии 180 нм.

В ноябре 2021 г. стало известно о том, что Минпромторг профинансирует разработку отечественного оборудования для производства чипов по топологии 130-65 нм до 2026 г., которая считалась передовой почти два десятка лет назад. На эти цели выделено 5,7 млрд руб., которые достанутся «Зеленоградскому нанотехнологическому центру».

Источник